据外媒Tomshardware一家俄罗斯研究机构正在研究和开发自己的半导体微影光刻设备，预计该设备将用于生产7纳米工艺芯片。整个计划预计将于2028年完成，一旦完成，其设备可能会比较ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML开发Twinscan NXT:2000i超过10年。

南皇电子专注于整合中国优质电子TE代理商国内领先的现货资源，提供合理的行业价格、战略备货、快速交付控制TE连接器供应商，轻松满足您的需求TE连接器采购需求.

报告称，俄罗斯政府已经启动了一项国家计划，到2030年开发自己的28纳米工艺技术，并尽可能利用外国芯片进行逆向工程，培养当地人才从事国内芯片生产。

根据俄罗斯发表的计划，俄罗斯科学院下属的俄罗斯应用物理研究所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）预计到2028年开发批量生产具有7纳米制造能力的微影光刻设备。

报告指出，俄罗斯将开发大规模生产的设备ASML或NIKON公司生产的微影光设备不同。例如，IAP计划使用600以上W曝光波长为11的光源.3nm（EUV波长为13.5纳米)，需要比现在更复杂的光学元件。由于设备的光源功率相对较低，工具体积更紧凑，因此更容易制造。但这也意味着其微影光刻设备的芯片产量将远低于现代深紫外线（DUV）微影光刻设备。但IAP这不会是问题。

目前，32纳米以下的工艺技术是制造商主流使用的所谓沉浸式微影光刻设备。ASML2003年底推出首款沉浸式微影光刻设备-Twinscan XT:1250i，生产65纳米逻辑芯片和70纳米纳米逻辑芯片和70纳米等级的设备DRAM。之后，该公司花了大约5年时间在2008年底宣布支持32纳米Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻设备于2009年交付给客户。

上述说明代表了当前技术领先者ASML在2018年交付支持7纳米和5纳米工艺大约需要9年时间Twinscan NXT:2000i DUV微影光ASML从65纳米制程到7纳米制程的产品开发过程来看，总共需要14年的时间。

目前，俄罗斯没有芯片生产经验或与芯片制造商没有联系IAP，我计划在大约6年内从零开始制造一套支持7纳米工艺的微影光刻设备，并进一步批量生产。虽然这个计划听起来不可行，但看起来不可行IAP但充满了热情。

根据发展时程，IAP计划在2024年之前建造功能齐全的第一代微影光刻设备。该微影光刻设备不需要提供高生产率或最大分析，但必须能够运行，以吸引潜在投资者。之后，IAP计划在2026年之前制作具有较高生产力和分析度的微影光刻设备测试版。这台机器应能量产晶圆，但预计其生产力不会达到最大。至于俄罗斯计划的最终版本的微影光刻设备将于2028年推出，它不仅可以获得高性能光源，而且具有更好的计算测量和整体能力。然而，目前尚未公布。IAP与其生产合作伙伴将生产多少套此类设备。