士兰明镓SiC第一条电源器件生产线初步通线SiC设备芯片投片成功
10月24日,士兰微发布公告称,最近,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线SiC设备芯片投影成功,第一批投影产品的参数指标符合设计要求,项目分阶段取得进展。斯兰明镓正在加快后续设备的安装和调试,目标是在今年年底形成每月2000件6英寸STE连接器的生产能力。
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斯兰微表示,该公司已完成第一代平面栅SiC-MOSFET在技术开发中,性能指标达到了行业内同类设备结构的先进水平。公司已经SiC-MOSFET芯片包装在汽车主驱动功率模块上,参数指标较好,继续完成评估,即将向客户户。
据了解,2017年12月18日,石兰微与厦门半导体投资集团有限公司在中国厦门签署了《化合物半导体项目投资合作协议》。双方合作在厦门市海沧区建设4/6寸兼容化合物半导体生产线,总投资50亿元,其中一期总投资20亿元,二期总投资30亿元。
根据《投资合作协议》,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(以下简称士兰明镓)在厦门市海沧区共同投资成立。
截至2021年底,士兰明镓已完成第一期20亿元投资,每月形成7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的生产能力在小间距内显示,miniLED显示屏、红外光耦合、安全监控LED广泛应用于其他领域。
2022年7月,期建设项目于2022年7月正式启动,即SiC电力设备生产线建设项目。本项目计划投资15亿元,建设6英寸SiC功率器件芯片生产线最终形成年产14.4万片6寸SiC其中,功率器件芯片的产能SiC-MOSFET芯片12万片/年,SiC-SBD芯片2.4万片/年。
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