三星在与台积电竞争的道路上，可谓频繁出招。除了3纳米引入新的GAAFET根据三星半导体蓝图分析，2025年大规模量产2纳米，更先进的1.4纳米预定2027年量产。

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韩国媒体The Elec三星计划使用背面供电网络(BSPDN)2纳米芯片采用技术。研究员Park Byung-jae三星技术论坛近日举行SEDEX 2022介绍BSPDN细节。从过去的高K金属栅极技术到FinFET，接着迈向MBCFET，再到BSPDN，FinFET它仍然是半导体过程中最主流的技术，以前被称为3D电晶是10纳米等级制造的关键，三星已经转向发展下一代GAAFET。

未来，三星将采用小芯片设计架构，不再采用同节点工艺技术，可连接不同的OEM、不同的节点工艺，也称为3D-SOC。BSPDN它可以解释为小芯片设计的演变。原本将逻辑电路与存储器模块集成的现有方案改为具有逻辑操作功能的正面、背面电源或信号传输。

值得一提的是，BSPDN这不是2019年第一次出现这个概念。IMEC研讨会已经出现到2021年IEDM再次引用论文。2纳米工艺应用BSPDN后端集成设计和逻辑最佳化可以解决FSPDN性能提高44%，功率效率提高30%。